[26335pz pezzi]
- Numero parte:
- KLUEGAJ1ZD-B0CQ
- fabbricante:
- Samsung Semiconductor
- Descrizione dettagliata:
- UFS 2.1 256 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.72 mm -40 ~ 105 °C Mass Production.
- Tempi di consegna standard del produttore:
- disponibile
- Data di scadenza:
- Un anno
- Chip da:
- Hong Kong
- RoHS:
- Metodo di pagamento:
-
- Modo di spedizione:
- Categorie familiari:
- KEY Components Co., LTD è un distributore di componenti elettronici che offre categorie di prodotti tra cui: GDDR5, LPDDR4X, HBM Flarebolt, DDR3, LPDDR4, LPDDR3, HBM Aquabolt and SLC Nand ...
- Vantaggio competitivo:
- We specialize in Samsung Semiconductor KLUEGAJ1ZD-B0CQ electronic components. KLUEGAJ1ZD-B0CQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KLUEGAJ1ZD-B0CQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: [email protected]
KLUEGAJ1ZD-B0CQ Caratteristiche del prodotto
Numero parte :
KLUEGAJ1ZD-B0CQ
fabbricante :
Samsung Semiconductor
Descrizione :
UFS 2.1 256 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.72 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
Serie :
DDR3
Versione :
UFS 2.1
Densità :
256 GB
Voltaggio :
1.8 / 3.3 V
Interfaccia :
G3 2Lane
Formato del pacchetto :
11.5 x 13 x 1.72 mm
Temp. :
-40 ~ 105 °C
Stato prodotto :
Mass Production
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