Samsung Semiconductor - K4Z80325BC-HC12

KEY Part #: K7359716

[24460pz pezzi]


    Numero parte:
    K4Z80325BC-HC12
    fabbricante:
    Samsung Semiconductor
    Descrizione dettagliata:
    8 Gb 256M x 32 12.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Mass Production.
    Tempi di consegna standard del produttore:
    disponibile
    Data di scadenza:
    Un anno
    Chip da:
    Hong Kong
    RoHS:
    Metodo di pagamento:
    Modo di spedizione:
    Categorie familiari:
    KEY Components Co., LTD è un distributore di componenti elettronici che offre categorie di prodotti tra cui: LPDDR5, GDDR6, MODULE, DDR3, SLC Nand, HBM Flarebolt, GDDR5 and DDR4 ...
    Vantaggio competitivo:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4Z80325BC-HC12 electronic components. K4Z80325BC-HC12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4Z80325BC-HC12, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4Z80325BC-HC12 Caratteristiche del prodotto

    Numero parte : K4Z80325BC-HC12
    fabbricante : Samsung Semiconductor
    Descrizione : 8 Gb 256M x 32 12.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Mass Production
    Serie : DDR3
    Densità : 8 Gb
    Org. : 256M x 32
    Velocità : 12.0 Gbps
    ricaricare : 16K / 32 ms
    Pacchetto : 180FBGA
    Stato prodotto : Mass Production

    Potresti anche essere interessato a
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.